IXST40N60B2D1

功能描述:IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO268

RoHS:

类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

系列:-

标准包装:30

系列:GenX3™

IGBT 类型:PT

电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V

Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A

电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A

功率 - 最大:830W

输入类型:标准

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商设备封装:PLUS247?-3

包装:管件

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